IPI028N08N3 G參數(shù):MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):80V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2.8毫歐@100A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V@270µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):206nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):14200pF@40V功率-最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應商器件封裝:PG-TO262-3